近日
，全球领先的半导体及无源元件制造商Vishay Intertechnology宣布，其旗下Vishay Semiconductors业务部门成功推出16款新型的第三代1,200V碳化硅(SIC)肖特基二极管。这些新推出的器件采用了独特的合并PIN肖特基(MPS)设计，为开关电源系统提供了更高的效率和可靠性。

　　新款SiC二极管凭借MPS设计，将高浪涌电流耐受性与低正向电压降、电容充电和反向漏电流等性能优势相结合，为行业树立了新的标准。这些二极管提供从5A到40A的广泛电流选择，并采用多种封装形式，包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L穿孔式封装以及D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装，以满足不同应用场景的需求。

　　据Vishay Intertechnology介绍，新款SiC二极管具有低至28nC的电容充电能力，其MPS结构通过激光退火技术薄化背面

，实现了1.35V的低正向电压降。这一突破性的设计不仅提高了能源效率，还有助于降低系统散热需求，从而延长了设备的使用寿命。

　　此外
，这些二极管在25°C时展现出低至2.5µA的反向漏电流，有助于最小化传导损耗，并确保在轻载和空闲条件下系统仍能保持最佳效率。与市面上其他高速开关二极管相比，第三代SiC二极管几乎不产生残留电荷，进一步提升了整体系统的效率。

　　这些先进的SiC二极管已被广泛应用于多种领域，包括交流/直流功率因数校正(PFC)、直流/直流转换器
、太阳能逆变器

、能量存储系统、工业驱动和数据中心等。这些应用场景对电源系统的效率和可靠性提出了极高的要求，而Vishay Intertechnology的新产品正是为了满足这些需求而设计的。

　　新款SiC二极管设计精良，能够承受恶劣的工作环境
，工作温度范围可达+175°C，并具备高达260A的正向浪涌额定值。此外，D2PAK 2L封装中的二极管还采用了高比较跟踪指数(CTI)至少为600的模塑化合物，确保了在高电压下仍能保持出色的电气绝缘性能。

　　随着全球对清洁能源和高效能源利用的需求不断增长，Vishay Intertechnology的第三代SiC肖特基二极管无疑将为电源系统带来更高的性能和更长的使用寿命。这一创新技术的推出，再次证明了Vishay Intertechnology在半导体技术领域的领先地位和持续创新的能力。

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