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这两种技术的主要区别特征是带隙(或能隙)，以电子伏特(eV)为单位，SiC和GaN的带隙分别为3.2 eV和3.4 eV，是主流硅材料的三倍 。
倒变降-升压电路产生的负电压的幅度可能高于或低于可用的正电压。例如，可以从 +12 V 生成 -8 V 或甚至 -14 V。
根据《华尔街日报》的最新消息，华为即将推出的昇腾910C处理器展现出强劲的市场潜力。与当前国内市场中最强的NVIDIA H20产品相比，昇腾910C的性能有望实现质的飞跃。
尽管GaN功率晶体管相对较新 ，但设计的“经验法则”已经建立并证明能够满足快速上市的目标。多年来，成功设计的七个步骤逐渐形成并得到验证 ，并通过持续更新的文档和客户培训得到了支持。
尽管最初存在所有技术障碍，SiC MOSFET 已在市场上确立了自己作为 IGBT 和 Si MOSFET 的高性能替代品的地位。
最初的 DC/DC 转换解决方案均为低噪声线性设计，使用简单，但有两个主要缺点 。首先 ，输出电压必须始终低于输入电压;然而 ，线性稳压器效率极低 ，会将很大一部分供电以热量的形式耗散 。
新的IM12BxxxC1系列采用了先进的TRENCHSTOP IGBT7 1200 V和快速二极管EmCon 7技术。
在消费类和通用工业应用中，为小型交流电动机设计逆变器的设计师面临着日益严峻的效率、可靠性、尺寸和成本限制。传统上 ，许多小型逆变器设计采用分立功率器件封装以及实现接口
长期以来 ，由于水将扫描超声换能器与IGBT模块耦合 ，IGBT模块无法通过声学系统进行检测。模块制造商担心，水蒸发后留下的微小残留物可能会在高功率水平下形成泄漏路径 。
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是一种颠覆性的功率晶体管，于 20 世纪 80 年代初首次实现商业化，对电力电子行业产生了巨大的积极影响，实现了创新的转换器设计、提高了系统效率并节省了全球能源 。
苹果公司在印度组装的低端机型总价值约为140亿美元，占其全球产量的14%，然而，高端型号依然选择在中国进行组装
太阳能光伏(PV)电池将阳光转换为电能，在充足阳光下大约可以产生1瓦特的电力。光伏模块由互联的电池组成 ，其输出特性通过I-V曲线表示。开路电压、短路电流和最大功率点等参数对于系统设计至关重要
650V汽车合格裸片IGBT旨在满足正在开发先进汽车牵引逆变器解决方案的功率模块制造商的需求。
电源转换器必须采用更小的被动元件 。逐渐从纯硅转向越来越多地使用高频硅碳化物(SiC)MOSFET ，在高压脉冲电源电路中，使得空间需求得以压缩，成本降低，效率提高 ，性能增强。
在全球半导体产业的竞争加剧背景下，中国两大晶圆代工厂中芯国际(SMIC)与华虹半导体(Huahong)近期发布的财报显示出行业复苏的迹象 ，但同时也反映出各自面临的挑战。
MCU芯片能够独立完成特定的控制任务 ，因此被广泛应用于各种智能设备中。与其他处理器相比，MCU芯片具有低功耗、低成本和小型化的特点 ，这使得其成为众多应用的理想选择 ，那么 ，mcu芯片主要用于哪些产品呢?
电容式触摸IC芯片凭借其卓越的性能和广泛的应用前景 ，正在迅速成为行业的热门选择。本文将深入探讨电容式触摸IC芯片的工作原理、优势及其应用领域，帮助读者更好地理解这一关键技术。
传统硅MOSFET和IGBT的性能已接近材料的理论极限，进一步的发展只能带来微小的改善 ，进展缓慢且成本高昂 。氮化镓晶体管显著提升了功率转换效率 ，并且具有体积小、可靠性高等附加优势 。
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