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IGBT串联时可能会遇到电压不平衡的问题，这不仅影响设备的稳定运行，还可能导致设备损坏。本文将探讨IGBT串联电压不平衡的原因及解决方案，帮助工程师和技术人员有效应对这一挑战 。
本文将深入探讨SiC MOSFET为何能够取代IGBT，并分析其在实际应用中的优势。
Microchip(微芯科技)已宣布推出一款新的车载充电器(OBC)解决方案，该解决方案集成了公司的智能、电源因数校正、信号生成 、高压和大电流驱动组件。
目前，关于氢作为交通燃料的炒作正达到狂热的程度 ，政府、汽车制造商和石油公司正投入数亿美元，以使氢能源汽车概念更具吸引力。
然而，高效地控制这些高压系统可能非常具有挑战性 。这篇文章介绍一款用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的可编程栅极驱动器提供了一些改进。
这些设备配备了高功耗的CPU和GPU，需要功率范围在300瓦到500瓦的电源模块(PSU)。由于空间和厚度的限制，这种PSU的设计本质上是困难的，需要高功率密度。
在大多数离散PLC系统中，故障排除输出设备的过程相当简单。如果输出端子工作正常，那么在‘关闭’时应测量到0V ，在‘开启’时应测量到全源电压。
英飞凌科技推出了一系列先进的电源模块(PSU)，专为人工智能数据中心设计。这些PSU的功率范围从3千瓦到12千瓦，利用新型半导体技术实现了极高的效率 。
Nexperia宣布，其650V、10A的碳化硅(SiC)肖特基二极管现已通过汽车认证(型号为PSC1065H-Q)，并采用真实的双引脚(R2P)DPAK(TO-252-2)封装。
本文将描述硅掺杂对高温下散装GaN热导率的影响，并以实验证据证明理论处理的有效性。
GaN晶体管凭借其优异的性能和广泛的应用前景，在电子技术领域逐渐成为了工程师们关注的焦点 。那么 ，GaN晶体管是否能像MOSFET(场效应晶体管)一样易于使用呢?
基于硅半导体的电子设备对于现代世界至关重要 。它们在设计用于中等温度(最高可达250C或482F)的系统时表现良好。但是 ，一旦温度升高到300C(572F)以上 ，基于硅的电子设备无法长时间运行。
据彭博社报道，当地时间6月13日 ，三星电子在其备受瞩目的年度代工论坛上公布了详细的芯片制造技术路线图 ，此举旨在巩固并提升其在人工智能(AI)芯片代工市场的领先地位 。
氮化镓(GaN)器件在功率转换器中具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频开关能力。横向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在这些应用中市场增长强劲。
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)放大器因其高效率、低功耗和良好的线性特性而被广泛应用于各种电子设备中。这篇文章将详细介绍MOSFET放大器的工作原理
碳化硅在许多电力转换应用中比硅表现出显著的性能优势 。进一步的成本降低和大规模生产是满足全球电气化带来的对电力半导体强劲需求的关键 。在本文中，利发国际将详细讨论工程化SiC基板的潜在优势。
碳化硅(SiC)技术作为一种新兴的功率半导体材料，以其高效能、高耐压和高频率的特性，正在迅速成为电动汽车充电解决方案中的重要一环 。本文将详细探讨SiC在电动汽车充电中的优势
SemiQ将1,700V SiC肖特基分立二极管和双二极管模块引入其QSiC™产品系列。新设备满足了多种高需求应用的尺寸和功率要求，如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS) 、感应加热器
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