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在佐治亚理工学院的突破性研究中，科学家们创造了世界上第一个成功的石墨烯半导体。
功率 MOSFET 是功率密集型应用中的重要组件。它们提供相对较低的栅极电荷 ，非常适合中功率和高功率用例。较低的栅极电荷降低了驱动电流要求，从而实现了高频和更高的效率。本文探讨了中功率 MOSFET ...
设计大电流和高电压电路所面临的挑战非常复杂。如果在设计中添加高速或混合信号电路，挑战会更加严峻。在这种情况下，PCB制造就变得有点难以处理 。
宽带隙器件可以实现超过 6 kW/L 的功率密度，这意味着功率密度提高了 3 倍 。英飞凌将此数字用作使用 GaN HEMT 的三相 11 kw OBC 设计中的功率密度目标水平。在本文中，利发国际考虑了设...
让利发国际了解下什么是集成电流传感器 。简单来说 ，它是一种电子设备，可以测量和监控系统中的电流。这种传感器是集成电路技术的一种应用，可以提供准确、稳定的电流测量 ，从而让各类电气设备更安全、更有效地运行 。
随着碳化硅(SiC) 作为半导体材料的普及不断增长，它成为具有广泛应用的下一代功率器件的重要参与者
由于其高效率、高功率密度和良好的动态响应，LLC 谐振转换器已成为中间 48 V 至 12 V 转换的首选拓扑。该拓扑结构与GaN 晶体管相结合的卓越性能已得到证明 。本文介绍了最新一代 GaN 器件如...
氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)正日益进入主流市场 ，因为它们提供了卓越的效率和紧凑的解决方案尺寸，从而在低功率和高功率转换应用中实现了卓越的功率密度。
在逆变器、转换器和电源等应用中实现高功率密度一直是一项重大挑战，也是现代 IGBT 进行优化以具有高开关频率能力的关键原因。与任何其他功率半导体器件一样，IGBT 也有局限性。
本文将深入探讨这两种进制的含义、转换方式以及在单片机编程中的应用，为单片机开发者提供全面的指导和帮助。
2024年第一季度全球硅晶圆出货量按季度下降5.4%，至2,834亿平方英寸。与去年同期的3,265亿平方英寸相比 ，这表现为下降了13.2%。
NMOS管和PMOS管。如果你对电子有那么一点点兴趣，或者是个专业的电子工程师 ，你肯定知道NMOS和PMOS是电子电路设计中的两个重要角色。但问题来了，你知道怎么区分它们吗?
数字隔离芯片能替代光耦吗?本文将深入探讨数字隔离芯片与光耦的技术特性、优势、局限性以及它们在实际应用中的表现，以提供给电子设计师在选择隔离方案时的参考依据。
钽电容和电解电容作为两种常见的电容类型，因其独特的性能特点和应用场景而受到电子工程师的广泛关注。在当今的电子设计领域 ，电容器是不可或缺的基础元件之一，它们在电路中发挥着储能、滤波和信号耦合等多种功能。
英飞凌的 CoolSiC MOSFET 1200 V 和 IGBT7 H7 1200 V 系列功率半导体采用针对工业应用量身定制的最新半导体技术和设计理念。
SemiQ，一家专门从事设计、开发和提供硅碳化物(SiC)解决方案的公司，用于高效和高电压应用，已启动已知良品芯片(KGD)筛选计划。
这篇文章将深入探讨SiC MOSFET和IGBT的工作原理 、性能特点及其应用差异，为专业人士和业余爱好者提供清晰的技术比较。
在利发国际追求绿色能源和可持续发展的今天，逆变器已成为了必不可少的一部分 。这些巧妙的设备能够将直流电转换为交流电，使得太阳能等可再生能源的利用成为可能。
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