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SemiHow-MOS

SiC MOSFET

HPAF65C105R

HPAF65C105R 是 SemiHow 推出的一款先进碳化硅 (SiC) MOSFET ,专为高效能和高可靠性应用设计 。该产品利用 SiC 材料的优越特性,提供卓越的性能和能效。
SiC MOSFET
产品详情

  HPAF65C105R 是 SemiHow 推出的一款先进碳化硅 (SIC) mosfet,专为高效能和高可靠性应用设计。该产品利用 SiC 材料的优越特性,提供卓越的性能和能效。

  主要特点

  高击穿电压 :最大漏源电压可达 650V,适用于高压应用 。

  低导通电阻 :具备极低的导通电阻 (RDS(on)) ,显著降低导通损耗。

  高温稳定性 :在 -55°C 至 175°C 的广泛温度范围内依然保持稳定性能 。

  快速开关速度 :支持高频操作,适用于高频电力转换应用。

  技术规格

  最大漏源电压 (VDS): 650V

  最大漏极电流 (ID): 32A

  导通电阻 (RDS(on)): 0.035Ω

  应用领域

  HPAF65C105R 广泛应用于电动汽车 (EV) 电机驱动、光伏逆变器、工业电源和开关电源等领域 。

  优势

  提升能效:低损耗和高开关速度显著提升系统能效 。

  紧凑设计 :高效能使系统设计更加紧凑,减小整体体积和重量。

  增强可靠性:高温稳定性延长系统使用寿命 ,提升可靠性。

  HPAF65C105R 凭借其高性能和可靠性,成为高效电力电子应用的理想选择。如需更多信息 ,请直接联系利发国际。


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