HPJ65C105R是一款高性能的SIC
mosfet,由SemiHow公司设计和制造。这款产品采用了先进的碳化硅(SiC)技术,提供了卓越的开关性能和高温操作能力。HPJ65C105R的主要特点包括:
高电压耐受性:能够承受高达1050V的电压,适用于高压应用。
低导通电阻:具有低至65mΩ的导通电阻,有效降低能量损耗。
快速开关速度:SiC材料的高电子迁移率使得开关速度更快,减少开关损耗。
高温工作能力:能够在高达175°C的温度下稳定工作,适用于恶劣环境。
HPJ65C105R SiC MOSFET广泛应用于电源转换、电动汽车、可再生能源系统等领域,是追求高效率和可靠性的理想选择。