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SemiHow-MOS

SiC MOSFET

HPAF120C080R

HPAF120C080R是SemiHow公司精心打造的一款高性能碳化硅(SiC)MOSFET器件 ,专为高电压、大电流应用而设计。这款MOSFET结合了碳化硅材料的卓越物理特性和先进的制造工艺 ,为电力电子系统带来了前所未有的效率、可靠性和稳定性。
SiC MOSFET
产品详情

  HPAF120C080R是SemiHow公司精心打造的一款高性能碳化硅(SIC)mosfet器件,专为高电压、大电流应用而设计。这款MOSFET结合了碳化硅材料的卓越物理特性和先进的制造工艺 ,为电力电子系统带来了前所未有的效率、可靠性和稳定性 。

  主要特性

  高电压耐受能力:HPAF120C080R能够承受高达1200V的漏源电压(VDSmax),这使得它在高压电力变换电路中表现出色,如新能源汽车、光伏逆变器和储能系统等 。

  低导通电阻:该MOSFET具有极低的比导通电阻,有助于降低导通损耗 ,提升系统效率。这一特性使得HPAF120C080R在高功率密度应用中具有显著优势。

  快速开关能力:碳化硅的高热导率和电子迁移率使得HPAF120C080R能够在高频下稳定工作,并具备极快的开关速度。这有助于减小系统的开关损耗,同时简化散热设计,降低系统成本 。

  高温稳定性:碳化硅材料的高工作温度特性(可达600°C)使得HPAF120C080R在高温环境下仍能保持优异的性能稳定性,延长了设备的使用寿命。

  无反向恢复损耗 :HPAF120C080R内置的反并联二极管具有极小的反向恢复电荷,从而消除了传统二极管在开关过程中的反向恢复损耗,进一步提升了系统效率。

  低开关损耗:与硅基MOSFET相比,HPAF120C080R的开关损耗显著降低,且几乎不受温度影响。这使得它非常适合用于高频开关应用,如LLC和谐振开关拓扑等 。

  封装与尺寸

  HPAF120C080R采用标准的TO-247-3L封装 ,这种封装形式不仅具有良好的散热性能 ,还便于系统集成和安装。其紧凑的设计使得在有限的空间内也能实现高功率密度的应用 。

  应用领域

  新能源汽车:适用于新能源汽车的电机驱动系统、电池管理系统和车载充电机等 ,提高能源转换效率和系统可靠性。

  光伏逆变器:在光伏逆变器中作为关键开关元件,实现高效的直流-交流转换,提升光伏发电系统的整体效率。

  储能系统:在储能系统中作为能量转换和控制的核心部件 ,确保储能系统的高效运行和长期稳定性。

  工业电源:适用于各类高功率密度的工业电源 ,如服务器电源、通信电源等,提升电源系统的效率和可靠性 。

  总结

  HPAF120C080R是SemiHow公司推出的一款高性能碳化硅MOSFET,凭借其高电压耐受能力 、低导通电阻、快速开关能力和高温稳定性等优异特性 ,在新能源汽车、光伏逆变器、储能系统和工业电源等领域具有广泛的应用前景 。无论是从提升系统效率、降低能耗还是增强系统可靠性方面 ,HPAF120C080R都是您值得信赖的选择 。


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