HPFL120G085N 是一款由SemiHow旗下研发的高性能氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)，专为高效能电源转换和电力电子应用而设计。凭借其卓越的开关速度和低导通电阻，HPFL120G085N 成为现代电源管理和高频应用中的理想选择。

　　主要特性

　　高效率

：氮化镓材料的优越特性使得 HPFL120G085N 在开关频率和效率方面表现出色，能够有效降低能量损耗
。

　　低导通电阻 (Rds(on))
：该产品具有极低的导通电阻，减少了功率损耗
，并提高了系统的热管理效率。

　　高频操作
：HPFL120G085N 支持高达 1MHz 的开关频率，使其适用于高频开关电源、DC-DC 转换器等应用场景
。

　　优异的热性能：设计上优化了热管理
，支持更高的工作温度和散热效率，提升了整体系统的可靠性
。

　　紧凑封装：采用紧凑的封装形式
，便于集成到空间受限的应用中，提高设计灵活性。

　　应用领域

　　HPFL120G085N 适用于广泛的应用，包括但不限于
：

　　开关电源(SMPS)

　　电动汽车充电器

　　太阳能逆变器

　　无线充电器

　　高频电源转换器

　　规格参数

　　栅极电压 (Vgs): ±20V

　　漏极电压 (Vds): 120V

　　持续漏极电流 (Id): 85A

　　导通电阻 (Rds(on)): 30 mΩ (典型值)

　　开关频率: 可达 1MHz

　　结论

　　HPFL120G085N 以其高效率、低损耗和卓越的性能
，成为高频开关电源和电力电子领域的理想选择
。无论是在工业应用，还是在消费电子产品中，该GaN FET都能提供可靠的性能表现，助力创新设计和高效能解决方案。