PCB 的热性能是确定电力电子设备整体合规性
、可靠性和耐用性的关键指标。在组件层面
，热管理很大程度上受器件封装的影响，封装集成了不同的散热方法和技术。PCB 设计和 PCB 热管理返工面临的挑战因器件封装而异。

　　最近，AOS 推出了一系列功率 MOSFET

，由于其独特的封装设计，可提供更好的热管理
。该产品旨在解决热管理面临的挑战。

　　DFN MOSFET 封装中的冷却机制

　　电力电子器件中的开关器件通过其裸露触点(直接连接到 PCB 或散热器)散热。

　　双扁平无引线 (DFN) 封装以其紧凑的外形尺寸而闻名，可实现更高的功率密度。这些封装采用扁平
、无引线设计，可最大限度地减少寄生效应，增强电子电路的高频性能和热管理。DFN 中没有引线，可以缩短到 PCB 基板的散热距离，因此与有引线封装相比，可以确保更好的热性能。

　　对于 PCB 设计人员来说
，底部接触冷却机制需要在PCB 设计阶段考虑热性能。例如，高效热管理的 PCB 考虑因素之一是采用热通孔。此外
，PCB基板必须表现出低热阻和增强的导热性
，以确保横向热量分布。

　　底部冷却也可能更容易受到环境因素的影响，例如 PCB 上残留的微小灰尘颗粒或污染物，这可能会随着时间的推移降低散热能力。

　　AONA66916 MOSFET

　　AOS 最近推出了 AONA66916 MOSFET，这是一款基于该公司 AlphaSGT 技术的 100V N 沟道器件
。

　　AONA66916 最显着的特点是采用了新型 DFN 5x6 封装，在顶部和底部均提供冷却表面
。具有大表面积的顶部接触可最大限度地与设备散热器接触
，从而实现更好的散热和性能。修改后的封装具有 0.5°C/W 的低顶侧热阻，而采用标准 DFN 5x6 封装的 AONS66917T 的顶侧热阻为 0.58°C/W
。

　　虽然这种差异看起来很小，但对于相同的结温 (175 oC)，双面冷却封装 MOSFET 可以比单面底部冷却封装多耗散 35 W
。

　　除了散热之外
，该器件的其他值得注意的规格包括 100 V 时 197 A 的连续漏极电流以及 VGS 为 10 V 时小于 3.4 毫欧的 RDS(on)。据该公司称，该器件非常适合应用包括DC/DC 转换器
、电信和太阳能
。

　　电子设计流程的前进方向

　　AOS 的封装设计是一项显着的创新，旨在使电子设计过程更加高效、可靠和灵活。通过实现更大的散热
，该器件封装可以帮助确保电源系统更高的可靠性和性能，而无需担心降额。因此，DFN 5x6 双面冷却套件有可能在需要坚固型电子产品(例如军用设备和太空任务相关设备)的关键任务应用中变得可行。

利发国际科技深耕功率器件领域
，为客户提供单片机(MCU)、触控芯片以及IGBT、IPM等功率器件，是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商
。