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高功率(3千瓦及以上)AC-DC转换器的效率 ，特别是具备功率因数校正(PFC)的转换器，是影响设计多个方面的关键因素 ，包括热耗散、整体物理尺寸和冷却类型 。经济因素对客户的影响也在设计发展中扮演角色
在现代智能设备中，触摸屏已成为主流的交互方式。然而，随之而来的触摸芯片抗干扰问题却给用户体验带来了诸多挑战。本文将深入探讨触摸芯片抗干扰处理技术，帮助您了解如何提升触控体验。
随着对微型化外形需求的增加，电子设计师面临如何在确保可制造性的同时顺应这一趋势的日益艰巨的任务。更小的电子产品留给错误的空间更少 。它们的材料在这种规模下也更容易破碎和受污染。
衍生设计的想法是修改经过现场验证的SoC的一小部分，可能会用升级的功能替换其中一个或多个功能，同时保持设计的大部分不变。
与传统的电量计指示器不同 ，电池计可能不可靠，导致用户感到沮丧 ，并且需要在不方便的时候寻找充电器。本文深入探讨了电池计量的困难，以及Nova Semiconductor的突破性电池管理系统 (BMS) ...
更多工程师认为，提高电池电压是解决电动汽车各种性能问题的最可行方案 ，如充电时间慢、续航里程短 、加速有限和再生制动能量捕获低 。
碳化硅功率器件已发展成为一项颠覆性技术，与较老的硅基竞争对手相比具有显著优势 。汽车认证的 SiC 功率元件是一项重大发展，有可能改变电动汽车行业和汽车动力系统 。
许多太阳能电池板无法输出预期的电压 。电压也可能因当地不断变化的天气环境而有所不同 。为了提高太阳能电池的寿命和效率，已经开发了最大功率点跟踪(MPPT)技术 。
半导体介于金属导体和玻璃绝缘体之间，是利发国际当代电子产品的基础 。半导体主要由硅组成 ，包括内存模块 、微处理器和其他芯片，几乎所有电子设备中都包含这些芯片 。
半导体温度的发展是决定电力电子系统使用寿命的最重要因素，因此 ，尽可能准确地确定芯片温度非常重要，那么如何确定半导体芯片温度呢 ？
IGBT串联时可能会遇到电压不平衡的问题 ，这不仅影响设备的稳定运行，还可能导致设备损坏 。本文将探讨IGBT串联电压不平衡的原因及解决方案 ，帮助工程师和技术人员有效应对这一挑战。
本文将深入探讨SiC MOSFET为何能够取代IGBT，并分析其在实际应用中的优势。
目前，关于氢作为交通燃料的炒作正达到狂热的程度 ，政府、汽车制造商和石油公司正投入数亿美元 ，以使氢能源汽车概念更具吸引力。
然而，高效地控制这些高压系统可能非常具有挑战性。这篇文章介绍一款用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的可编程栅极驱动器提供了一些改进 。
这些设备配备了高功耗的CPU和GPU，需要功率范围在300瓦到500瓦的电源模块(PSU)。由于空间和厚度的限制，这种PSU的设计本质上是困难的 ，需要高功率密度。
在大多数离散PLC系统中，故障排除输出设备的过程相当简单。如果输出端子工作正常，那么在‘关闭’时应测量到0V，在‘开启’时应测量到全源电压。
本文将描述硅掺杂对高温下散装GaN热导率的影响 ，并以实验证据证明理论处理的有效性。
GaN晶体管凭借其优异的性能和广泛的应用前景，在电子技术领域逐渐成为了工程师们关注的焦点。那么，GaN晶体管是否能像MOSFET(场效应晶体管)一样易于使用呢?
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