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单片机之所以能够灵活地控制和监测外部设备，关键在于其集成的输入/输出(Input/Output, IO)接口电路。
你可能不知道8位单片机(MCU)已经存在了近40年 ，在这个技术迅速发展的时代 ，任何电子设备似乎在进入市场后不久就会变得过时，但是8位单片机至今却一直活跃在市场
半导体基础功率模块因其相对于传统离散元件的诸多优势而变得越来越突出 。在不断发展的功率电子领域，选择半导体基础功率模块与离散元件对效率 、可靠性和整体系统性能有着显著的影响。
根据记忆体类型的不同，车规MCU记忆体可以分为多种类型 ，包括ROM 、EEPROM 、Flash ，以及SRAM等。
它们具有非常简单的拓扑结构;电感器是唯一的磁性部件，通常是一个恒频连续导通模式(CCM)电感器 。GaN FET对PFC整流器性能的影响可以直接展示出来 。
随着对越来越小、功耗更低的电子设备需求的增长 ，低功耗芯片设计已经成为一个基本角色。人工智能在嵌入式系统中的日益普及，正挑战着低功耗芯片设计师们去融入更高密度、更具创新性的架构和制造工艺。
IGBT功率模块在功率密度和寿命方面面临着挑战。本文将介绍一种通过转模技术提升最新IGBT功率模块功率密度和寿命的方法，为电机驱动技术的发展做出贡献。
氮化镓 (GaN) 是一种宽禁带 (WBG) 半导体材料，与硅或碳化硅相比，具有优越的电性能和效率 。
功率二极管是一种非线性无源电子元件 ，由两个端子组成：阳极和阴极。它使电流只在一个方向上通过，而在另一个方向上完全阻断
在电动汽车、可再生能源发电、车对车通信以及储能等电力应用中，双向开关特别有用。这些开关能够高效地控制双向能量流动，确保在各种工作条件下的可靠和安全运行。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种在各种功率电子应用中最成功的宽禁带材料。它们较高的禁带宽度使其在关键电场方面相比硅(Si)提高了10倍以上。
电动汽车的性能、可靠性和安全性仍有改进的空间 ，汽车行业依然在积极追求这些改进。虽然电池和电机技术备受关注，但牵引逆变器的创新也同样重要 。
集成电路(IC)已经彻底改变了数字电子学，这些IC在促进数字电子学的发展方面做出了重大贡献 ，提供了一系列逻辑功能和专用电路，分为不同的逻辑家族。
随着设计工程师认识到FPGA能够减少元件数量、节省电路板空间并降低电路板布局复杂性的价值 ，FPGA市场迅速增长。
这今天篇文章中 ，利发国际将深入研究如何通过单片机(MCU)实现逻辑门系统 。这一项目代表了学习过程中的一个具体且引人入胜的步骤 ，不仅提供了实践之前所学理论知识的机会
SiC MOSFET在开关状态下工作，然而 ，了解其在某些情况下(如驱动器故障或设计师编程的特定目的)线性工作区的行为也是很有用的，今天利发国际就来聊聊电源设计之线性工作区中的SiC MOSFET 。
UPS是“Uninterruptible Power Supply”的首字母缩写，也就是不间断电源装置 ，指的是电力供应网络与需要保护的设备之间的连接设备
MOSFET晶体管能够处理大电压和电流，正是由于这一特点 ，它被广泛追求连接到电路或微控制器重载 ，本文将从实践的角度分析如何构建简单的MOSFET开关
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