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衍生设计的想法是修改经过现场验证的SoC的一小部分，可能会用升级的功能替换其中一个或多个功能，同时保持设计的大部分不变。
与传统的电量计指示器不同，电池计可能不可靠，导致用户感到沮丧 ，并且需要在不方便的时候寻找充电器 。本文深入探讨了电池计量的困难，以及Nova Semiconductor的突破性电池管理系统 (BMS) ...
更多工程师认为，提高电池电压是解决电动汽车各种性能问题的最可行方案，如充电时间慢、续航里程短、加速有限和再生制动能量捕获低。
碳化硅功率器件已发展成为一项颠覆性技术，与较老的硅基竞争对手相比具有显著优势。汽车认证的 SiC 功率元件是一项重大发展 ，有可能改变电动汽车行业和汽车动力系统 。
许多太阳能电池板无法输出预期的电压。电压也可能因当地不断变化的天气环境而有所不同。为了提高太阳能电池的寿命和效率 ，已经开发了最大功率点跟踪(MPPT)技术。
半导体介于金属导体和玻璃绝缘体之间，是利发国际当代电子产品的基础。半导体主要由硅组成 ，包括内存模块、微处理器和其他芯片，几乎所有电子设备中都包含这些芯片。
半导体温度的发展是决定电力电子系统使用寿命的最重要因素，因此 ，尽可能准确地确定芯片温度非常重要 ，那么如何确定半导体芯片温度呢？
IGBT串联时可能会遇到电压不平衡的问题，这不仅影响设备的稳定运行 ，还可能导致设备损坏 。本文将探讨IGBT串联电压不平衡的原因及解决方案，帮助工程师和技术人员有效应对这一挑战。
本文将深入探讨SiC MOSFET为何能够取代IGBT，并分析其在实际应用中的优势 。
目前，关于氢作为交通燃料的炒作正达到狂热的程度，政府、汽车制造商和石油公司正投入数亿美元，以使氢能源汽车概念更具吸引力。
然而，高效地控制这些高压系统可能非常具有挑战性。这篇文章介绍一款用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的可编程栅极驱动器提供了一些改进 。
这些设备配备了高功耗的CPU和GPU，需要功率范围在300瓦到500瓦的电源模块(PSU) 。由于空间和厚度的限制，这种PSU的设计本质上是困难的 ，需要高功率密度 。
在大多数离散PLC系统中，故障排除输出设备的过程相当简单。如果输出端子工作正常，那么在‘关闭’时应测量到0V，在‘开启’时应测量到全源电压。
本文将描述硅掺杂对高温下散装GaN热导率的影响，并以实验证据证明理论处理的有效性。
GaN晶体管凭借其优异的性能和广泛的应用前景，在电子技术领域逐渐成为了工程师们关注的焦点。那么 ，GaN晶体管是否能像MOSFET(场效应晶体管)一样易于使用呢?
基于硅半导体的电子设备对于现代世界至关重要。它们在设计用于中等温度(最高可达250C或482F)的系统时表现良好。但是，一旦温度升高到300C(572F)以上，基于硅的电子设备无法长时间运行。
氮化镓(GaN)器件在功率转换器中具有多种优势 ，包括更高的效率、功率密度和高频开关能力。横向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在这些应用中市场增长强劲。
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)放大器因其高效率、低功耗和良好的线性特性而被广泛应用于各种电子设备中 。这篇文章将详细介绍MOSFET放大器的工作原理
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