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新一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术、以及硅碳化物(SiC)和氮化镓(GaN)材料的出现，正在引领着能源转换效率的革新浪潮 。本文将深入探讨这些前沿技术的特点、应用前景以及它们对未来电...
由于如此关注电动汽车 ，很容易忽视轻型交通领域 ，特别是对电动两轮和三轮车辆不断增长的需求 。虽然电动汽车无疑吸引了交通领域的大部分关注和关注，所以集成电流传感器如何推动轻型交通电气化?
与任何其他硅器件相比 ，单极 SiC MOSFET 的开关速度更快，开关损耗更低 ，从而可以大幅提高开关频率 ，从而降低总体功率损耗并提高功率输出效率。
赛米控推出了来自两家不同制造商的950V 和 1200V第 7 代 IGBT 。自上一代产品推出以来 ，这两款第 7 代 IGBT 都经历了根本性改进 。
工程师们考虑了鳍形 FET 等多栅极器件，使利发国际所熟知的 FinFET 晶体管成为现实。
随着数字化和可持续发展计划的发展，大型电气系统在日常生活中发挥着越来越重要的作用 。然而 ，有效控制这些高压系统可能具有挑战性。东京大学的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 可编程栅极驱动器提供了一些改进。
金刚石具有优异的导热性、高载流子迁移率和大带隙 ，使其成为电力电子半导体中很有前途的材料，那么 ，金刚石半导体材料做成的二极管可以为高压设备供电吗?
功率 MOSFET 是功率密集型应用中的重要组件 。它们提供相对较低的栅极电荷 ，非常适合中功率和高功率用例。较低的栅极电荷降低了驱动电流要求，从而实现了高频和更高的效率。本文探讨了中功率 MOSFET ...
设计大电流和高电压电路所面临的挑战非常复杂 。如果在设计中添加高速或混合信号电路，挑战会更加严峻。在这种情况下，PCB制造就变得有点难以处理。
宽带隙器件可以实现超过 6 kW/L 的功率密度，这意味着功率密度提高了 3 倍。英飞凌将此数字用作使用 GaN HEMT 的三相 11 kw OBC 设计中的功率密度目标水平 。在本文中 ，利发国际考虑了设...
随着碳化硅(SiC) 作为半导体材料的普及不断增长 ，它成为具有广泛应用的下一代功率器件的重要参与者
由于其高效率 、高功率密度和良好的动态响应，LLC 谐振转换器已成为中间 48 V 至 12 V 转换的首选拓扑。该拓扑结构与GaN 晶体管相结合的卓越性能已得到证明。本文介绍了最新一代 GaN 器件如...
氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)正日益进入主流市场，因为它们提供了卓越的效率和紧凑的解决方案尺寸，从而在低功率和高功率转换应用中实现了卓越的功率密度。
在逆变器 、转换器和电源等应用中实现高功率密度一直是一项重大挑战 ，也是现代 IGBT 进行优化以具有高开关频率能力的关键原因。与任何其他功率半导体器件一样，IGBT 也有局限性。
本文将深入探讨这两种进制的含义、转换方式以及在单片机编程中的应用，为单片机开发者提供全面的指导和帮助。
NMOS管和PMOS管。如果你对电子有那么一点点兴趣，或者是个专业的电子工程师，你肯定知道NMOS和PMOS是电子电路设计中的两个重要角色。但问题来了 ，你知道怎么区分它们吗?
数字隔离芯片能替代光耦吗?本文将深入探讨数字隔离芯片与光耦的技术特性、优势、局限性以及它们在实际应用中的表现 ，以提供给电子设计师在选择隔离方案时的参考依据。
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