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在现代电子系统中，固态继电器(SSR)和CMOS开关是两种常见的开关技术，它们在不同的应用场景中发挥着重要作用。
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 属于宽带隙 (WBG) 半导体类别，与传统硅半导体相比具有多种优势，而传统硅半导体现已达到性能极限 。
工程师需要尽可能获得的所有帮助来快速开发新的电力驱动器 。差异不仅仅体现在尺寸 、形状和重量限制方面。功能和电气安全要求以及环境条件在很大程度上取决于应用和地理
新一代金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术 、以及硅碳化物(SiC)和氮化镓(GaN)材料的出现，正在引领着能源转换效率的革新浪潮。本文将深入探讨这些前沿技术的特点、应用前景以及它们对未来电...
由于如此关注电动汽车，很容易忽视轻型交通领域，特别是对电动两轮和三轮车辆不断增长的需求 。虽然电动汽车无疑吸引了交通领域的大部分关注和关注，所以集成电流传感器如何推动轻型交通电气化?
与任何其他硅器件相比 ，单极 SiC MOSFET 的开关速度更快，开关损耗更低，从而可以大幅提高开关频率，从而降低总体功率损耗并提高功率输出效率。
赛米控推出了来自两家不同制造商的950V 和 1200V第 7 代 IGBT 。自上一代产品推出以来，这两款第 7 代 IGBT 都经历了根本性改进。
工程师们考虑了鳍形 FET 等多栅极器件 ，使利发国际所熟知的 FinFET 晶体管成为现实 。
随着数字化和可持续发展计划的发展，大型电气系统在日常生活中发挥着越来越重要的作用。然而 ，有效控制这些高压系统可能具有挑战性 。东京大学的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 可编程栅极驱动器提供了一些改进 。
金刚石具有优异的导热性 、高载流子迁移率和大带隙 ，使其成为电力电子半导体中很有前途的材料，那么，金刚石半导体材料做成的二极管可以为高压设备供电吗?
功率 MOSFET 是功率密集型应用中的重要组件。它们提供相对较低的栅极电荷，非常适合中功率和高功率用例。较低的栅极电荷降低了驱动电流要求，从而实现了高频和更高的效率。本文探讨了中功率 MOSFET ...
设计大电流和高电压电路所面临的挑战非常复杂。如果在设计中添加高速或混合信号电路，挑战会更加严峻。在这种情况下，PCB制造就变得有点难以处理。
宽带隙器件可以实现超过 6 kW/L 的功率密度，这意味着功率密度提高了 3 倍。英飞凌将此数字用作使用 GaN HEMT 的三相 11 kw OBC 设计中的功率密度目标水平。在本文中，利发国际考虑了设...
让利发国际了解下什么是集成电流传感器。简单来说，它是一种电子设备，可以测量和监控系统中的电流。这种传感器是集成电路技术的一种应用，可以提供准确、稳定的电流测量，从而让各类电气设备更安全 、更有效地运行 。
随着碳化硅(SiC) 作为半导体材料的普及不断增长，它成为具有广泛应用的下一代功率器件的重要参与者
由于其高效率 、高功率密度和良好的动态响应，LLC 谐振转换器已成为中间 48 V 至 12 V 转换的首选拓扑。该拓扑结构与GaN 晶体管相结合的卓越性能已得到证明。本文介绍了最新一代 GaN 器件如...
氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)正日益进入主流市场，因为它们提供了卓越的效率和紧凑的解决方案尺寸，从而在低功率和高功率转换应用中实现了卓越的功率密度。
在逆变器 、转换器和电源等应用中实现高功率密度一直是一项重大挑战，也是现代 IGBT 进行优化以具有高开关频率能力的关键原因。与任何其他功率半导体器件一样，IGBT 也有局限性 。
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