在新能源汽车领域,理想汽车与意法半导体(ST)达成了一项重要的碳化硅(SIC)长期供应协议。理想汽车,作为国内高端电动汽车设计、研发、制造及销售的佼佼者,正通过与意法半导体的合作,加速其在高压纯电动汽车(BEV)市场的步伐。
随着全球汽车行业向电动化转型,减少碳足迹成为行业共识,高压电池电动汽车(BEV)因其出色的能源效率和续航能力而受到青睐。理想汽车,以增程式电动汽车(EREV)技术著称,现正积极拓展纯电动汽车(BEV)领域,并计划在2023年第四季度推出其旗舰MPV BEV车型。
为提升电动汽车性能,理想汽车将在牵引逆变器中大量采用SiC mosfet,这与其未来推出更多高压纯电动汽车车型的战略相契合。
意法半导体的碳化硅(SiC)器件以其高开关频率、击穿电压和热阻特性,显著提升了性能和效率。在应对纯电动汽车所需的高工作电压时,这些特性尤为关键。
理想汽车选择在其未来800V BEV平台的牵引逆变器中应用意法半导体最先进的第三代1,200V SiC MOSFET,旨在确保工艺的稳定性、性能、效率和可靠性,从而巩固其在行业中的领导地位。
意法半导体的SiC技术在全球市场中占据显著优势,其SiC MOSFET市场份额超过50%,并因其卓越的性能获得了众多领先汽车制造商的认可。该技术广泛应用于车载充电器和电源模块,是推动电动汽车技术进步的强大动力。
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