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你是否曾在基于碳化硅 (SiC) 的逆变器上测得超过100%的效率 ，并认为自己发现了一种通过逆变器创造能量的方法?更可能的情况是
根据国际电子工业联接协会(IPC)的一项研究，与20世纪90年代的辉煌时期相比，当前欧盟的PCB产值已大幅缩水 ，仅占全球市场的2%，远低于此前20-30%的占比。
电容式触摸技术因其灵敏度高、响应速度快 、耐用性强等优点，被广泛应用于智能手机、平板电脑 、车载系统等设备中。
单片机之所以能够灵活地控制和监测外部设备，关键在于其集成的输入/输出(Input/Output, IO)接口电路。
你可能不知道8位单片机(MCU)已经存在了近40年，在这个技术迅速发展的时代，任何电子设备似乎在进入市场后不久就会变得过时，但是8位单片机至今却一直活跃在市场
半导体基础功率模块因其相对于传统离散元件的诸多优势而变得越来越突出 。在不断发展的功率电子领域，选择半导体基础功率模块与离散元件对效率、可靠性和整体系统性能有着显著的影响。
在日益激烈的全球半导体市场竞争中，东芝公司近日宣布了一项重大战略调整，将进行一场规模达5000人的裁员行动，并将重点聚焦在功率半导体等核心业务上，以应对行业变革和市场挑战。
根据记忆体类型的不同 ，车规MCU记忆体可以分为多种类型，包括ROM、EEPROM、Flash，以及SRAM等。
它们具有非常简单的拓扑结构;电感器是唯一的磁性部件，通常是一个恒频连续导通模式(CCM)电感器 。GaN FET对PFC整流器性能的影响可以直接展示出来 。
随着对越来越小 、功耗更低的电子设备需求的增长，低功耗芯片设计已经成为一个基本角色。人工智能在嵌入式系统中的日益普及 ，正挑战着低功耗芯片设计师们去融入更高密度、更具创新性的架构和制造工艺。
近日 ，全球半导体技术领先企业意法半导体(STMicroelectronics)宣布，将在意大利Catania地区建设一座全新的大规模碳化硅(SiC)工厂
IGBT功率模块在功率密度和寿命方面面临着挑战 。本文将介绍一种通过转模技术提升最新IGBT功率模块功率密度和寿命的方法 ，为电机驱动技术的发展做出贡献。
氮化镓 (GaN) 是一种宽禁带 (WBG) 半导体材料 ，与硅或碳化硅相比，具有优越的电性能和效率。
功率二极管是一种非线性无源电子元件，由两个端子组成 ：阳极和阴极。它使电流只在一个方向上通过，而在另一个方向上完全阻断
近日，三星电子宣布任命全永铉为其半导体事业部门的新任掌舵人，与此同时，竞争对手SK海力士正借助人工智能(AI)市场的高速发展，加速资本支出，以期巩固其在半导体市场的领先地位 。
在电动汽车 、可再生能源发电、车对车通信以及储能等电力应用中，双向开关特别有用。这些开关能够高效地控制双向能量流动 ，确保在各种工作条件下的可靠和安全运行。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种在各种功率电子应用中最成功的宽禁带材料 。它们较高的禁带宽度使其在关键电场方面相比硅(Si)提高了10倍以上。
电动汽车的性能、可靠性和安全性仍有改进的空间，汽车行业依然在积极追求这些改进。虽然电池和电机技术备受关注 ，但牵引逆变器的创新也同样重要。
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